机构：AI驱动的“存储通胀”效应正加速兑现，科创芯片设计ETF(588780)下跌1.32%

新时空讯，截至2026年2月25日14:30，上证科创板芯片设计主题指数(950162)下跌1.27%。成分股方面涨跌互现，格科微领涨4.50%，乐鑫科技上涨4.25%，力芯微上涨3.43%；普冉股份领跌7.91%，灿芯股份下跌5.94%，澜起科技下跌4.31%。科创芯片设计ETF(588780)下跌1.32%，最新报价0.89元。拉长时间看，截至2026年2月24日，科创芯片设计ETF近2周累计上涨1.57%，涨幅排名可比基金1/5。（以上所列股票仅为指数成份股，无特定推荐之意）

流动性方面，科创芯片设计ETF盘中换手14.49%，成交1.31亿元，市场交投活跃。拉长时间看，截至2月24日，科创芯片设计ETF近1月日均成交1.55亿元，排名可比基金第一。

规模方面，科创芯片设计ETF近2周规模增长5569.81万元，实现显著增长，新增规模位居可比基金1/5。（数据来源：Wind）

份额方面，科创芯片设计ETF最新份额达10.12亿份，创近1年新高，位居可比基金1/5。（数据来源：Wind）

资金流入方面，科创芯片设计ETF最新资金净流入1452.22万元。拉长时间看，近4个交易日内有3日资金净流入，合计“吸金”3658.34万元，日均净流入达914.59万元。（数据来源：Wind）

数据显示，杠杆资金持续布局中。科创芯片设计ETF最新融资买入额达734.42万元，最新融资余额达4705.08万元。（数据来源：Wind）

截至2月24日，科创芯片设计ETF近1年净值上涨63.13%，指数股票型基金排名148/3515，居于前4.21%。从收益能力看，截至2026年2月24日，科创芯片设计ETF自成立以来，最高单月回报为37.17%，最长连涨月数为4个月，最长连涨涨幅为65.67%，涨跌月数比为9/4，上涨月份平均收益率为10.97%，年盈利百分比为100.00%，历史持有1年盈利概率为100.00%。截至2026年2月24日，科创芯片设计ETF近3个月超越基准年化收益为2.48%。

回撤方面，截至2026年2月24日，科创芯片设计ETF今年以来相对基准回撤0.15%，在可比基金中回撤最小。

费率方面，科创芯片设计ETF管理费率为0.50%，托管费率为0.10%，费率在可比基金中最低。

跟踪精度方面，截至2026年2月24日，科创芯片设计ETF近2月跟踪误差为0.025%，在可比基金中跟踪精度最高。

科创芯片设计ETF紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，上证科创板芯片设计主题指数选取科创板内业务涉及芯片设计领域的上市公司证券作为指数样本，以反映科创板芯片设计领域上市公司证券的整体表现。

数据显示，截至2026年1月30日，上证科创板芯片设计主题指数(950162)前十大权重股分别为澜起科技、海光信息、芯原股份、寒武纪、佰维存储、东芯股份、睿创微纳、臻镭科技、龙芯中科、复旦微电，前十大权重股合计占比58.7%。（以上所列股票仅为指数成份股，无特定推荐之意）

国联民生证券分析表示，美光宣布投资500亿美元扩建Boise园区并新建两座DRAM晶圆厂，预计2027年量产、2028年底全面投产；HBM4已通过英伟达质量测试并获批量采购订单，三星报价达700美元/颗，较HBM3E高出20–30%，反映AI驱动的“存储通胀”效应正加速兑现。

新时空声明： 本内容为新时空原创内容，复制、转载或以其他任何方式使用本内容，须注明来源“新时空”或“NewTimeSpace”。新时空及授权的第三方信息提供者竭力确保数据准确可靠，但不保证数据绝对正确。本內容仅供参考，不构成任何投资建议，交易风险自担。

本文转载自新时空，原文链接:https://www.newtimespace.com/zh-cn/etf/1376165.html